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电子元器件详细资料 » IC[27174] » SI9936BDY-T1-E3
型号:SI9936BDY-T1-E3类别:FET - 阵列制造商:Vishay Siliconix
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET DUAL N-CH 30V 4.5A 8-SOIC

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET DUAL N-CH 30V 4.5A 8-SOIC
系列-
制造商Vishay Siliconix
FET型2 个 N 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流_连续漏极(Id)0a025000C4.5A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C35 毫欧 @ 6A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2223V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs13nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds-
功率_最大1.1W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOIC N
包装带卷 (TR)

供应商

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深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
现代芯城(深圳)科技有限公司董0755-82542579
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SI9936BDY-T1-E3相关型号

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